Citat:
Što bi reklo moram za svaki tranzistor da tražim koji je napon početka otvaranja ili?
Bilo bi poželjno, bar da znaš koliko variraju i ako variraju više od 0.1V onda treba povećati otpornike na emiteru da pad napona bude veći da bi delovali kao negativna povratna sprega.
Citat:
konačno sam shvatio da bi dobio pad napona na tranzistoru od 0,2v pru struji od 52A treba da imam otpor 0,0038462?? kako to da izvedem?
Tako je, ta otpornost treba da podnese 10.5W disipacije, računaj odmah bar 12W. Kako izvesti, ne znam za ovako veliku snagu, najbolje otvori novu temu.
Citat:
Imam i drugu šemu za drajver sa 74ls244: sa izlaza 74.. preko otpornika 1k na gejt
Ne, mislio sam pravi gate driver, recimo kao TC4426 ili IR2101...
Citat:
a na kolektoru otpor od 0,01om. Šta misliš?
Ako je u pitanju kolektor IGBT tranzistora, veća otpornost može da poništi povratnu spregu koju vrši otpor na emiteru.
Citat:
I trebao bi da ih zgusnem, zar ne?
Da, trabalo bi da se zajedno greju i hlade.
Paralelno vezivanje MOSFET-ova je mnogo lakše, skoro da nema ništa od problema sa nestabilnošću kao kod IGBT. Otpornost kanala kod njih raste sa temperaturom i to je sasvim dovoljno da se struja lepo raspoređuje u grupi.
Pozdrav