Razlika izmedju praznjenja tiristorom i MOSFET-om ili IGBT-om je u kontroli.
Tiristor kad se otvori, dok struja u kolu ne opadne ispod struje drzanja vodi i bateriju elektrolita isprazni do kraja. Kontrola u zavar-punkt se
vrsi ili kapacitetom kondenzatorske baterije (sto je naizgled lako ali je tesko izvodivo zbog velikih struja praznjenja) ili sto je lakse, visinom
napona na koji se baterija puni, kao sto je @macolakg uradio.
Kod praznjenja MOSFET-om malog Rds ON, kontrolom napona na gejtu moguce je strogo vremenski kontrolisati praznjenje , pa i dvostruki puls.
Vidio sam jednu masinu za punktovanje baterijskih clanaka koja vrsi praznjenje baterije elektrolita preko 14 paralelovanih snaznih Mosfet
tranzistora ciji je Rds ON jednog tranzistora reda 6 milioma. Po izvedenoj racunici za tu masinu, u zavar se unosi svega oko 25% uskladistene energije,
ostatak se gubi kako u spojnim mjestima, kablovima i samim tranzistorima.
Slicna situacija bi bila i sa IGBT, stim da su gubici na IGBT bez obzira na broj paralelovanih veci zbog napona saturacije.-
pOz
Nebom stupa, nebom lupa moja generacija., jedan po jedan, srest ćemo se svi...