Samo da se nadovezem MOS-FET i njegovo drajvovanje.
Da bi dobili sliku sta se sa gejtom desava kod tranzistora, samo zamislite jedan kondenzator paralelno spojen izmedju G i S reda 1 - 2nF (Ciss).
Kada se gejt gura samo sa nekim staticnim da kazem DC signalom, efektivna struja kroz gejt je prilicno mala, struja curenja i ona je reda nA.
Medjutim kako se PWM frekvencija signala povecava tako ovaj "zamisljeni" kondenzator izmedju G i S (u realnosti stvarno postoji taj kapacitet, ne samo na G-S nego izmedju svih nozica po malo ali G-S je najdominatniji) predstavlja sve "teze" opterecenje jer mu se smanjuje impedanca (Xc - reaktansa).
http://www.sengpielaudio.com/calculator-RC.htm
Jedan obican mosfet tipa IRFZ44N, sa "svega" 300mA (push-pull) driverom moze da se upali/ugasi u nekih 300ns.
Sa 10x manjom strujom bi to vreme bilo 10x duze i sve obrnuto-zavisno, jaci drajver = brze vreme paljenja/gasenja.
Naravno moze da se gejt gura i sa manjom strujom, niko vam ne brani ali onda ce taj tranzistor provoditi procentualno duze vremena u "medju rezimu", niti je ukljucen niti iskljucen a to se na kraju pretvara direktno u discipaciju na tranzistoru.
Dakle ako hocete "hladne" tranzistore pri relativno visokim PWM frekvencijama (npr >20kHz) mora da se razmislja o drajverima koji mogu da obezbede struje ranga 0.5 - 4A Ampera!
Direktno guranje iz PIC-a, NE555 i slicnih ne-drajvera je besmisleno pri tako velikim PWM frekvencijama ili "teskim" (veliki Qg) transiztorima.
[Ovu poruku je menjao mikikg dana 18.01.2015. u 00:24 GMT+1]