Navigacija
Lista poslednjih: 16, 32, 64, 128 poruka.

Proboj u nanoelektronici: Negativna Kapacitivnost? NC FeFET-Tranzistor Memory Concept

[es] :: Elektronika :: Proboj u nanoelektronici: Negativna Kapacitivnost? NC FeFET-Tranzistor Memory Concept

[ Pregleda: 264 | Odgovora: 0 ] > FB > Twit

Postavi temu Odgovori

Autor

Pretraga teme: Traži
Markiranje Štampanje RSS

Living Light

Član broj: 331540
Poruke: 9177



+1299 Profil

icon Proboj u nanoelektronici: Negativna Kapacitivnost? NC FeFET-Tranzistor Memory Concept10.05.2026. u 18:55 - pre 2 meseca
"Konvencionalni tranzistori su ograničeni tzv. "Boltzmannovom tiranijom" (Boltzmann's Tyranny),
koja ograničava strminu prebacivanja (subthreshold swing - SS) na minimum 60 mV/dekadi na sobnoj temperaturi.

NC-FeFET je tip tranzistora koji koristi feroelektrični materijal (najčešće dopirani hafnijum-oksid, \(HfO_{2}\)) kao deo gejt dielektrika. Kada se ovaj materijal pravilno integriše, on pokazuje efekat "negativne kapacitivnosti.

Razlika između klasičnog FeFET-a i NC-FeFET-aIako su usko povezani,
postoji razlika u primeni:Klasični FeFET: Koristi se prvenstveno za memoriju (FeRAM)
gde feroelektrični sloj pamti stanje (histerezis).
NC-FeFET (NCFET): Dizajniran je tako da se feroelektrični sloj koristi u stabilnom ili prolaznom (transient) području negativne kapacitivnosti kako bi se izbegao histerezis i dobio tranzistor visokih performansi za logička kola."





 
Odgovor na temu

[es] :: Elektronika :: Proboj u nanoelektronici: Negativna Kapacitivnost? NC FeFET-Tranzistor Memory Concept

[ Pregleda: 264 | Odgovora: 0 ] > FB > Twit

Postavi temu Odgovori

Navigacija
Lista poslednjih: 16, 32, 64, 128 poruka.